非挥发记忆(NVM)是每个系统设计核心的关键组件。它拥有关键数据,控制系统启动方式并影响整体性能。选择正确的NVM是关键。我们在这里为您提供帮助。我们广泛的NVM产品提供了一系列功能,旨在帮雷电竞官网登录助调整和优化您的系统。
spi nor Flash产品选择器
嗨,表面
XSPI(8x SPI)
高带宽
低电量
实地执行(XIP)
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普遍的
SPI,双,四边形
1.8V,3.0V。宽VCC
超低能量,低功率
7NA睡眠
电池监视器
快速柔性健壮
并发编程
便于使用
电力故障保护
数据的完整性
低功率模式
已知的好死程序
高达125°C的工作温度
所有电压水平
NXP I.MX RT MCUS的低功率和高速SPI闪光解决方案
对话框SPI Flash解决方案已在30多个STM32 MCUS上进行了验证
CBRAM是一种电阻RAM技术,可提供与其他非易失性记忆技术相比的功率,速度和成本收益。它非常适合电池供电的设备,边缘计算和AI应用程序。雷竞技安卓下载
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记忆
2个月前
你好,
我想检查2013年至2021年之间的AT45DB161E-SHFHA-T是否有任何铅框架更改。我们在同一部分观察到不同的铅框架。
DC13XX,COO:PH DC:21XX,COO:TW
谢谢。
你好sfloh,
可以在此处的PCN中找到LeadFrame更改的详细信息
Microsoft Word -PDF_SF022修订版12_30_2014(dialog -spemedonductor.com)
问候
戈登
嗨,戈登,
谢谢提供信息。您还可以与我分享资格报告吗?
铅框架随着制造位置的变化而变化?
问候,
SF
2个月前
你好sfloh,
可以在此处的PCN中找到LeadFrame更改的详细信息
Microsoft Word -PDF_SF022修订版12_30_2014(dialog -spemedonductor.com)
问候
戈登