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记忆

对话框改善系统性能

非挥发记忆(NVM)是每个系统设计核心的关键组件。它拥有关键数据,控制系统启动方式并影响整体性能。选择正确的NVM是关键。我们在这里为您提供帮助。我们广泛的NVM产品提供了一系列功能,旨在帮雷电竞官网登录助调整和优化您的系统。

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CBRAM是一种电阻RAM技术,可提供与其他非易失性记忆技术相比的功率,速度和成本收益。它非常适合电池供电的设备,边缘计算和AI应用程序。雷竞技安卓下载

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3个月前

AT25SF641B-SHB-T芯片擦除时间安排

发表罗伯特·赫尔塞博斯(Robert Hulsebos)10点 1回复
0个投票

我目前正在评估AT25SF641B-SHB-T设备作为其他SPI闪存设备的替代。我发现芯片擦除操作的时机(命令0xc7)要比DataSheet(DS-AT25SF641B-191D-122020.PDF)指定的速度要快得多。

数据表在第51页上指出,典型的芯片擦除时间为30秒。我在这里测量约1220毫秒。(在室温下操作设备,3.3V)这里的数据表是否错误?还是我忽略了什么?其他操作的时间安排似乎与数据表保持一致。(64K擦除= 〜219ms,32k擦除= 〜119ms,扇区擦除= 〜31ms)

3个月前

Gordonmacnee 225分

数据表中的擦除时间假定每个页面都有一些编程字节。如果已经删除了块中的页面,则块(或芯片)擦除将跳过此页面,以减少擦除时间。请尝试编程大部分的闪存芯片,然后运行擦除例程,您会看到擦除时间扩展。

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