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对话框提高了系统性能

非易失性存储器（NVM）是每个系统设计核心的关键组件。它包含关键数据，控制系统靴子的方式，并影响整体性能。选择正确的NVM是关键。我们在这里提供帮助。我们广泛的NVM产品提供了一系列功能，旨在帮雷电竞官网登录助调谐和优化系统。

SPI和Flash产品选择器

八大Xspi内存

Hi-Performace.

XSPI（8X SPI）

高带宽

低电量

执行就地（XIP）

读一下

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双/四分之一SPI内存

普遍的

SPI，双重，四边形

1.8V，3.0V。宽VCC.

超低能量，低功率

7na睡觉

电池监视器

安全

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dataflash spi内存

快速灵活的鲁棒

并发编程

便于使用

电源失败保护

数据的完整性

低功耗模式

安全

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晶圆KGD.

已知的好死计划

高达125°C的工作温度

所有电压电平

  • 1.8V.
  • 3.0V.
  • 宽电压1.65V至3.6V

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核实核武器核查内存

用于NXP I.MX RT MCU的低功耗和高速SPI闪光解决方案

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ST微电子学的验证内存

对话SPI Flash解决方案在30多个STM32 MCU上验证

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CBRAM是一种电阻式RAM技术，提供电力，速度和成本效益，在其他非易失性存储器技术上。它非常适合电池供电设备，边缘计算和AI应用。雷竞技安卓下载

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7个月前

在25pe40的闪存上查询

发布者emb_sys.30分 2回复
0升值

我们将使用FlashAT25PE40在我们的产品中。我有以下问题。

  1. 在第一次闪存操作之前（读/写/擦除）之前电源（VCC稳定）之后需要什么时间延迟？
  2. 如果拉起写保护销，是否有可能导致误操作的可能性？
  3. 如果重置重置，是否有可能导致误操作的可能性？
  4. 关闭电源后，闪光灯有80毫米的时间有效电源。这次是否足够了AT25PE40还
  5. 请提及任何勘误表AT25PE40
AT25xe. 4MB.
接受答案！

7个月前

Gordonmacnee. 225分

数据表中的表16-1告诉我们

当VCC> 1V时，设备将开始初始化

vccmin = 1.65V

读取命令的VCCMin到/ CS低为70us

PROG或ERASE的VCCMIN到/ CS为3ms

AT25PE40部分基于AT45DB041E模具，因此自2012年以来一直在生产

我们建议/重置和/ WP引脚在嘈杂的环境中升高，这不会导致任何问题

不确定我明白你在问题4中要问的内容

戈登马尼

gordon.macnee.wj@renesas.com.（请注意，对话框现在是瑞萨的一部分）

7个月前

emb_sys. 30分

谢谢！