非易失性存储器(NVM)是每个系统设计的核心关键组件。它保存关键数据，控制系统如何启动，并影响整体性能。选择正确的NVM是关键。我们是来帮忙的。我们广泛的NVM产品提供了一系列功能，旨在帮雷电竞官网登录助优化和优化您的系统。
SPI NOR Flash产品选择器
Hi-Performace
xSPI (8x SPI)
高带宽
低功率
eXecute-in-Place (XiP)
Read-While-Write
安全
查看更多
通用
SPI，双，四
1.8 v, 3.0 v。宽VCC
超低能耗，低功耗
7 na睡眠
电池监控
快速灵活稳健
并发编程
使用方便
电源故障保护
数据完整性
低功耗模式
已知好模具程序
工作温度可达125°C
所有电压等级
NXP i.m mx RT mcu的低功耗和高速SPI闪存解决方案
Dialog SPI Flash解决方案在超过30个STM32 mcu上验证
CBRAM是一种电阻式RAM技术，与其他非易失性存储器技术相比，它提供了功率、速度和成本方面的优势。它非常适合电池供电设备、边缘计算和人工智能应用。雷竞技安卓下载
业界领先的存储接口产品，最大的性能雷电竞官网登录
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内存
7个月前
我浏览了所有AT25SF部件的数据表(4 Mb, 8 Mb, 16 Mb, 32 Mb, 64 Mb, 128 Mb)。除8mb数据表外，所有数据表均提供2.7V至3.6V的交流特征值。在8mb数据表中，提供了2.3V至3.6V和2.5V至3.6V的交流特性。有什么具体原因吗?是否可以提供2.7V到3.6V的值?
6个月前
AT25xxx部件现已全部报废，不建议用于新设计。这些部件已主要替换为AT25SFxxxB部件。这些B部分是在一个更小的几何，所以我们不得不限制Vcc范围比非B部分。
不确定您对AT25SF081的要求是什么-我们保证所有部件在规定电压范围内的数据表性能，因此除非特别说明，否则在2.7V < Vcc < 3.6V使用时，设备的2.3V- 3.6V性能将遵守数据表。
B部件有两个电压范围，并有不同的部件号后缀来表示这一点，但当操作在2.7V和3.6V之间时，这两个部件仍将满足数据表参数。
6个月前
AT25xxx部件现已全部报废，不建议用于新设计。这些部件已主要替换为AT25SFxxxB部件。这些B部分是在一个更小的几何，所以我们不得不限制Vcc范围比非B部分。
不确定您对AT25SF081的要求是什么-我们保证所有部件在规定电压范围内的数据表性能，因此除非特别说明，否则在2.7V < Vcc < 3.6V使用时，设备的2.3V- 3.6V性能将遵守数据表。
B部件有两个电压范围，并有不同的部件号后缀来表示这一点，但当操作在2.7V和3.6V之间时，这两个部件仍将满足数据表参数。