你好,
我使用的是带有da14585芯片的定制板。使用的闪光灯是W25X20CL。闪光灯由一个p通道逻辑增强模式功率场效应晶体管HM2301BSR控制。d14585的引脚P0_6连接到晶体管的栅极，源端连接到VDD，漏极连接到flash的SUPPLY引脚。
现在，默认情况下，上电时，GATE电压为0，漏极电压为3.4V，源极电压为3.4V, VCC的电源电压也是3.4V。在智能代码片段工具箱中单击CONNECT时，SPI引脚已成功配置。要求是从flash启动，配置的SPI引脚如下:
CLK - p0_0, cs - p0_1, di - p0_2, do - p0_3。为了从flash中引导，我相应地配置了辅助引导加载程序，并将其编程到OTP中。
现在我面临的问题是，在smart snippets中CONNECTION成功后，flash的电源电压和漏电压都降到了2.72 V。
现在，点击Read 32kb选项卡后，数据被成功读取，但电压进一步下降到大约720mv。请提出同样的原因。
这与jtag_programmer.bin有什么关系吗?当连接最初在智能代码段中执行时，jtag_programmer.bin在开始时被编程?
谢谢提前
Wisilica
设备:
你好,
我也尝试了同样的使用PRO开发板，通过使用相同的MOSFET。GATE连接引脚P1_1, SOURCE连接VCC, Drain连接引脚SPI_SUP。在连接到智能片段之前，电源刚上电，闪光灯完全通电到3.4V，栅极为0V，漏极和源极为3.4V。连接成功后，GATE处电压升高到3.2V，漏极电压降低到2.6V，电源电压降低到2.6V。在读取32kb后，电压进一步下降到0 V在闪光电源和漏极。
请提出同样的原因。
谢谢
嗨wisilica,
好吧,如果你检查flash_programmer你会发现,当弗兰克-威廉姆斯下载所有的针都在所有的设置在INPUT_PULLUP periph_init()函数,之后所有的针都是在高状态,然后设备配置引脚的状态与使用相关的外围设备,最终，这就是触发MOSFET的原因，你已经施加了，并降低了电压。如果你想避免，你应该自定义flash_programmer和处理引脚，操作MOSFET适当。然后在修改flash程序员之后，你应该复制并粘贴二进制文件到C:\DiaSemi\ smartsnippetstudio \Toolbox\common_resources，并将其重命名为jtag_programmer_585.bin。
由于MT_dialog
你好,
谢谢你的回复。问题似乎已经解决了。我可以知道调出gpio的意义吗?目前在flash程序员代码中，我已经注释掉了调用所有gpio的函数。希望它不会有任何冲击。
谢谢
Wisilica
嗨wisilica,
不,它不会有任何副作用,除非你联系其他的别针是活性低,该指令的原因是说因为在flash编程董事会可能有额外的sesnors记忆连接的SPI总线分离针由于低信号被激活,所以它会破坏闪存的燃烧，因此所有的引脚被设置为高输入。
由于MT_dialog
你好,
谢谢你的及时回复。
Wisilica