嗨
目前我在Daughterboard使用proximity reporter_fh。我需要修改程序，使它上电后应该执行一个广告事件和关机。我应该做修改的地方。有任何main()函数处理这些!!?
我已经在子板中做了OTP与正常的proximity_report_fh。我现在想做上面提到的修改，可以在air上使用patch吗?
很奇怪为什么没有回复!我在等待过去的24小时!
你好HRG，你已经烧过OTP了吗?如果你已经，而且还没有包括补丁配置文件，那么就没有办法通过空中进行更新。Over the air profiles需要成为Over the air update的一部分——需要被烧到OTP中。在开发过程中，最好将设备保持在开发模式中，这样您就可以有效地只使用SRAM，因此可以进行无限的更改。一旦你燃烧了OTP，那些已经燃烧的细胞就不能改变，因此在发展的同时最好不要燃烧OTP。替代方案是添加一个低成本的EEPROM/FLASH，以提供完全的灵活性。
下文第8.3节描述了接近记者的广告方案设置，从那里你应该能够修改广告间隔/频率。
http://support.dialog-semiconductor.com/system/files/UM-B-018_Smart_tag_application_1.0.pdf
BR JE_Dialog
嗨对话小组
1)我修改了接近记者代码获得一个广告事件，并通过改变定时器的值进入睡眠模式app_timer_set (APP_ADV_TIMER TASK_APP 30);//180000 ms -> 3 mins " 3分钟到一些毫秒。所以它只做一次广告就进入深度睡眠模式。这个timervalue修改正确吗?
2)以上修改以调试方式进行。我在调试模式下检查了广告的上电波形，并使用功率分析工具与OTP编程板进行了比较，两者之间存在着巨大的差异。通过SRam调试获得的第一个广告事件的上电波形是23msec (Iavg 4.7mA)，而OTP板的上电波形是近128 msec(Iavg 1.06 ma)(类似于appnote ANB-011冷启动时间)!!你能解释一下为什么使用这两种存储器时，上电时间和电流有这么大的区别吗??
谢谢
当使用SRAM时(例如在扩展睡眠模式下)，当设备唤醒时，不需要进行射频校准或将OTP的内容复制到SRAM中，因为SRAM在扩展睡眠模式下保持活跃。这就是为什么它的启动速度相对较快并且需要小于10uC的原因。
从冷启动开始，大约需要55uC才能启动，并在大约130mSec的时间内做第一个广告。你可以从下面的链接中看到一个典型的图。在设备内部有一个启动序列，允许所有时钟/锁相环等解决，所以冷启动将需要一些时间。
http://support.dialog-semiconductor.com/faq-page#n488
对于长时间睡眠:你对SRAM(长时间睡眠)启动的测量:你确定你看到的是4.7mA的平均值吗?它应该是4.7mA峰值和一个更低的平均值(<1mA)。下面的例子显示了一个信标应用程序和唤醒从延长睡眠到第一次广告…
嗨JE_Dialog谢谢你，我被清除了，为什么冷启动需要这么多时间!!但在使用SRAM的同时，也有射频校准在第一个广告的开始。我们在调试模式下使用了近距离应用程序，在唤醒期间，在卸下调试器后，峰值电流为10 mA。
你好hrg，你能描述一下你的装置吗?这是在开发板上还是在你自己的板上?你如何测量10mA的峰值电流?
JE_Dialog
我正在使用SmartSnippet电源分析工具和对话框开发板（专家）。在接近应用程序它将广告3分钟，在电力分析工具中跳起来，我可以看到峰值电流为10 mA（调试器未插拔）。！
Hello HRG，您可以根据用户手册检查电路板上的跳线设置和电源配置吗？我们始终如一地实现5mA，因此您的电路板上有一个设置问题。
嗨JE_Dialog
我们正在使用升压模式配置，所以跳线是根据用户手册中的配置设置的。
你好hrg,
如果你使用升压模式，那么很清楚:我们指定5mA @ 3V。所以如果你以1。5v升压，你会看到10mA。
谢谢我! !
很奇怪为什么没有回复!我在等待过去的24小时!
你好HRG，你已经烧过OTP了吗?如果你已经，而且还没有包括补丁配置文件，那么就没有办法通过空中进行更新。Over the air profiles需要成为Over the air update的一部分——需要被烧到OTP中。在开发过程中，最好将设备保持在开发模式中，这样您就可以有效地只使用SRAM，因此可以进行无限的更改。一旦你燃烧了OTP，那些已经燃烧的细胞就不能改变，因此在发展的同时最好不要燃烧OTP。替代方案是添加一个低成本的EEPROM/FLASH，以提供完全的灵活性。
下文第8.3节描述了接近记者的广告方案设置，从那里你应该能够修改广告间隔/频率。
http://support.dialog-semiconductor.com/system/files/UM-B-018_Smart_tag_application_1.0.pdf
BR JE_Dialog
嗨对话小组
1)我修改了接近记者代码获得一个广告事件，并通过改变定时器的值进入睡眠模式
app_timer_set (APP_ADV_TIMER TASK_APP 30);//180000 ms -> 3 mins " 3分钟到一些毫秒。所以它只做一次广告就进入深度睡眠模式。
这个timervalue修改正确吗?
2)以上修改以调试方式进行。我在调试模式下检查了广告的上电波形，并使用功率分析工具与OTP编程板进行了比较，两者之间存在着巨大的差异。通过SRam调试获得的第一个广告事件的上电波形是23msec (Iavg 4.7mA)，而OTP板的上电波形是近128 msec(Iavg 1.06 ma)(类似于appnote ANB-011冷启动时间)!!你能解释一下为什么使用这两种存储器时，上电时间和电流有这么大的区别吗??
谢谢
当使用SRAM时(例如在扩展睡眠模式下)，当设备唤醒时，不需要进行射频校准或将OTP的内容复制到SRAM中，因为SRAM在扩展睡眠模式下保持活跃。这就是为什么它的启动速度相对较快并且需要小于10uC的原因。
从冷启动开始，大约需要55uC才能启动，并在大约130mSec的时间内做第一个广告。你可以从下面的链接中看到一个典型的图。在设备内部有一个启动序列，允许所有时钟/锁相环等解决，所以冷启动将需要一些时间。
http://support.dialog-semiconductor.com/faq-page#n488
对于长时间睡眠:你对SRAM(长时间睡眠)启动的测量:你确定你看到的是4.7mA的平均值吗?它应该是4.7mA峰值和一个更低的平均值(<1mA)。下面的例子显示了一个信标应用程序和唤醒从延长睡眠到第一次广告…
BR JE_Dialog
嗨JE_Dialog
谢谢你，我被清除了，为什么冷启动需要这么多时间!!但在使用SRAM的同时，也有射频校准在第一个广告的开始。
我们在调试模式下使用了近距离应用程序，在唤醒期间，在卸下调试器后，峰值电流为10 mA。
你好hrg，你能描述一下你的装置吗?这是在开发板上还是在你自己的板上?你如何测量10mA的峰值电流?
JE_Dialog
我正在使用SmartSnippet电源分析工具和对话框开发板（专家）。在接近应用程序它将广告3分钟，在电力分析工具中跳起来，我可以看到峰值电流为10 mA（调试器未插拔）。！
Hello HRG，您可以根据用户手册检查电路板上的跳线设置和电源配置吗？我们始终如一地实现5mA，因此您的电路板上有一个设置问题。
BR JE_Dialog
嗨JE_Dialog
我们正在使用升压模式配置，所以跳线是根据用户手册中的配置设置的。
谢谢
你好hrg,
如果你使用升压模式，那么很清楚:我们指定5mA @ 3V。所以如果你以1。5v升压，你会看到10mA。
BR JE_Dialog
谢谢我! !