你好
目前正在使用子板中的Proximity Reporter_FH。我需要修改程序，以便在电源启动后，它应该执行一个广告事件和电源。在哪里我应该做修改。有任何main（）函数它处理这些!!？
我已经用正常的proximity_reportr_fh.now在子板中做了OTP，我想做如上所述的修改。可以在空气中涂上补丁吗？
dialog_team它奇怪为什么没有回复！我在等了24小时！
Hello HRG，你已经烧了OTP吗？如果您有，并且已经没有包含修补程序，那么就无法通过空中更新。在空中剖面上，需要成为空中更新的构建的一部分 - 需要被烧入OTP。在开发过程中，将设备保持在开发模式中，以便仅使用SRAM有效，因此可以进行无限制的变化。一旦烧焦OTP，那些细胞已经烧焦就无法改变，因此最好不要燃烧OTP。替代方案是添加低成本EEPROM / FLASH以提供完全的灵活性。
下面的第8.3节描述了广告方案设置了邻近记者的信息，并从那里开始，您应该能够修改广告间隔/频率。
http://support.dialog-seminile.com/system/files/um-b-018_smart_tag_application_1.0.pdf.
BR JE_DIALOG.
嗨对话小组
1）我修改了接近报告代码以获得一个广告事件并通过更改计时器中的值来转到睡眠模式app_timer_set（app_adv_timer，task_app，30）;// 180000 ms - > 3分钟“3分钟到一些毫秒。所以它宣传一次并转到深度睡眠模式。！这个timervalue修改是否正确??
2）以上修改在调试模式下进行。我在调试模式下检查了通电到广告波形，并使用PowerProfIning工具与OTP编程板相比。它们之间的巨大差异。通过使用SRAM调试获得的第一个广告事件波形的电源为23毫秒（IAVG 4.7ma），而OTP板的虽然OTP板上近128毫秒（IAVG-1.06MA）（类似于APPNote ANB-011 Coldboot时序）!!你能解释为什么电源上电量和当前有很大差异在使用这两个回忆时？
谢谢
您好HRG，使用SRAM时（例如，在扩展睡眠模式）时，当设备唤醒时，无需使RF校准或将OTP的内容复制到SRAM中，因为SRAM在扩展睡眠模式下保持活力。这就是为什么它相对较快地启动并需要<10uc。
从寒冷的靴子来看，电涌需要55uc，并在130msec上进行第一广告。您可以从下面的链接中看到一个典型的绘图。设备内部有一个启动序列器，以允许所有时钟/ PLL等定居，因此冷启动需要一些时间。
http://support.dialog-semicondiondiondum/faq-page#n488
延长睡眠：您正在为SRAM启动的测量（延长睡眠）：您确定是否看到4.7mA平均值？它应该是4.7mA峰值，水平低得多（<1mA）。下面的示例显示了灯塔应用程序，并从延长睡眠到第一个广告唤醒......
嗨je_dialog谢谢你已经清除了为什么冷靴这么多时间！但是在使用SRAM时，首次广告的开头也存在RF校准。我们在调试模式下使用了近距离应用程序，在唤醒期间，在卸下调试器后，峰值电流为10 mA。
Hello HRG，你能描述你的设置吗？是在开发板或自己的板上 - 以及如何测量峰值电流-AT 10mA？
je_dialog
我正在使用SmartSnippet电源分析工具和对话框开发板（专家）。在接近应用程序它将广告3分钟，在电力分析工具中跳起来，我可以看到峰值电流为10 mA（调试器未插拔）。！
Hello HRG，您可以根据用户手册检查电路板上的跳线设置和电源配置吗？我们始终如一地实现5mA，因此您的电路板上有一个设置问题。
嗨je_dialog
我们在Boost Mode Config中使用，因此根据用户手册根据该配置设置跳线。
你好HRG，
如果您正在使用Boost模式，那么Clear：我们指定5ma @ 3V。因此，如果您在Bay 1.5V上提升，您将看到10mA。
谢谢你!!
dialog_team它奇怪为什么没有回复！我在等了24小时！
Hello HRG，你已经烧了OTP吗？如果您有，并且已经没有包含修补程序，那么就无法通过空中更新。在空中剖面上，需要成为空中更新的构建的一部分 - 需要被烧入OTP。在开发过程中，将设备保持在开发模式中，以便仅使用SRAM有效，因此可以进行无限制的变化。一旦烧焦OTP，那些细胞已经烧焦就无法改变，因此最好不要燃烧OTP。替代方案是添加低成本EEPROM / FLASH以提供完全的灵活性。
下面的第8.3节描述了广告方案设置了邻近记者的信息，并从那里开始，您应该能够修改广告间隔/频率。
http://support.dialog-seminile.com/system/files/um-b-018_smart_tag_application_1.0.pdf.
BR JE_DIALOG.
嗨对话小组
1）我修改了接近报告代码以获得一个广告事件并通过更改计时器中的值来转到睡眠模式
app_timer_set（app_adv_timer，task_app，30）;// 180000 ms - > 3分钟“3分钟到一些毫秒。所以它宣传一次并转到深度睡眠模式。！
这个timervalue修改是否正确??
2）以上修改在调试模式下进行。我在调试模式下检查了通电到广告波形，并使用PowerProfIning工具与OTP编程板相比。它们之间的巨大差异。通过使用SRAM调试获得的第一个广告事件波形的电源为23毫秒（IAVG 4.7ma），而OTP板的虽然OTP板上近128毫秒（IAVG-1.06MA）（类似于APPNote ANB-011 Coldboot时序）!!你能解释为什么电源上电量和当前有很大差异在使用这两个回忆时？
谢谢
您好HRG，使用SRAM时（例如，在扩展睡眠模式）时，当设备唤醒时，无需使RF校准或将OTP的内容复制到SRAM中，因为SRAM在扩展睡眠模式下保持活力。这就是为什么它相对较快地启动并需要<10uc。
从寒冷的靴子来看，电涌需要55uc，并在130msec上进行第一广告。您可以从下面的链接中看到一个典型的绘图。设备内部有一个启动序列器，以允许所有时钟/ PLL等定居，因此冷启动需要一些时间。
http://support.dialog-semicondiondiondum/faq-page#n488
延长睡眠：您正在为SRAM启动的测量（延长睡眠）：您确定是否看到4.7mA平均值？它应该是4.7mA峰值，水平低得多（<1mA）。下面的示例显示了灯塔应用程序，并从延长睡眠到第一个广告唤醒......
BR JE_DIALOG.
嗨je_dialog
谢谢你已经清除了为什么冷靴这么多时间！但是在使用SRAM时，首次广告的开头也存在RF校准。
我们在调试模式下使用了近距离应用程序，在唤醒期间，在卸下调试器后，峰值电流为10 mA。
Hello HRG，你能描述你的设置吗？是在开发板或自己的板上 - 以及如何测量峰值电流-AT 10mA？
je_dialog
我正在使用SmartSnippet电源分析工具和对话框开发板（专家）。在接近应用程序它将广告3分钟，在电力分析工具中跳起来，我可以看到峰值电流为10 mA（调试器未插拔）。！
Hello HRG，您可以根据用户手册检查电路板上的跳线设置和电源配置吗？我们始终如一地实现5mA，因此您的电路板上有一个设置问题。
BR JE_DIALOG.
嗨je_dialog
我们在Boost Mode Config中使用，因此根据用户手册根据该配置设置跳线。
谢谢
你好HRG，
如果您正在使用Boost模式，那么Clear：我们指定5ma @ 3V。因此，如果您在Bay 1.5V上提升，您将看到10mA。
BR JE_DIALOG.
谢谢你!!