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负荷开关

Greenfet高性能负载开关设计和优化,为高侧电源轨控制应用,从0.25 V至25.2V,其中负载电流范围为1 a至9a。雷竞技安卓下载

使用专有的MOSFET设计,所有GreenFET负载开关都实现了超稳定的RDS跨越输入和电源电压范围。专有的MOSFET IP和高级装配技术结合,这些先进的最先进产品可用于超小型PCB占地面积,从0.56mm²到5.04mm²,并且为高电流操作表现出低热电阻。雷电竞官网登录

与离散的FET电路实现相比,GreenFET产品将高性能NFET或PFET结构,高电流处理能力,电荷泵以及多种保护和控雷电竞官网登录制电路相结合,进入了节省高效的单通道和双通道产品。所有这些高级功能的组合直接导致BOM(物质账单)组件和成本还原以及增加系统可靠性和降低板尺寸。

所有低压和高压绿色料装载开关都设计和完全在商业(0°C至70°C)上,将商业(-20°C至70°C)扩展(-20°C至70°C),工业(-40°C至85°c)或扩展工业(-40°C至125°C)温度范围。与产生非常低的热梯度的一致性,对话载开关具有低热电阻,STDFN / STQFN RoHS标准的封装和晶圆级芯片刻度包装(WLCSP)。

使用greenpak的妇女

特征

高性能NFET MOSFET

  • 低RDS: 13.3Ω
  • 超低ΔRDS/ΔV:<0.05mΩ/ v
  • 超低ΔRDS/ΔT:<0.06MΩ/°C

内部保护功能

  • 内部瞬态电压抑制器(选定部件编号)
  • 自动NFET SOA保护(5W和10W选项)
  • PIN可选过压和欠压锁定窗口
  • 固定和电容可调的涌流控制
  • 固定和电阻可调电流限制
  • 内部短路电流限制
  • 热关机
  • 快速输出电压放电

排水明沟过错信号

开路功率信号良好

MOSFET我DS.模拟电流或电源输出负载监视器(所选部件号)

UL2367认证(选定部件编号)

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USB Type C高端智能手机和平板电脑

在5V, 12V, 15V和20V系统中的负载点配电

企业计算和电信设备

多功能打印机

风扇电机驱动器

企业复印机

机顶盒

通用,高压电源-轨道开关

作为PCIe / PCI适配器卡

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产品ID 描述 开关类型 一世DS.
马克斯(a)
rds.(mΩ) V.D./ V.分钟(V) V.D./ V.最大(v) 供电电压范围(V) 输出电压转换速率设置 / EN控制 过电压保护 欠压保护 过流保护 短路保护 在温度保护 内部电视电涌保护 反向电流阻塞 反向电压检测 当前监视器输出 电源监视器输出 功率良好(pg),过错指示器 输出放电电路 工作温度范围(DEG C) 包类型 文档
SLG59H1005V.
(SLG59H1005,SLG59H1005VTR)
4.8 mm²背靠背反向电流阻断负载开关可选引脚V过电压保护,内部NFET SOA保护,以及我DS.当前监视器输出 单一的n沟道反向阻止 3. 50. 4.5 22. - 电容器 活性高 PIN可选择 是的 可调 是的 是的 没有 是的 没有 是的 没有 过错 没有 -40到+85 STQFN-18(1.6 x 3.0 mm) 文件
SLG59H1006V.
(SLG59H1006 SLG59H1006VTR)
4.8mm²负载开关,带有引脚可选的v过电压保护,内部NFET SOA保护,以及我DS.当前监视器输出 单一的n沟道 5. 13.1 4.5 22. - 电容器 活性高 PIN可选择 是的 可调 是的 是的 没有 没有 没有 是的 没有 过错 是的 -40到+85 STQFN-18(1.6 x 3.0 mm) 文件
SLG59H1007V
(SLG59H1007 SLG59H1007VTR)
4.8mm²负载开关,带有引脚可选的v过电压保护,内部net SOA保护,和负载-功率监控输出 单一的n沟道 5. 13.3 4.5 22. - 电容器 活性高 PIN可选择 是的 可调 是的 是的 没有 没有 没有 没有 是的 过错 是的 -40到+85 STQFN-18(1.6 x 3.0 mm) 文件
SLG59H1008V
(SLG59H1008,SLG59H1008VTR)
4.8mm²负载开关,带有引脚可选的v锁定保护,内部NFET SOA保护,我DS.当前监视器输出企业打印机/复印机应用程序雷竞技安卓下载 单一的n沟道 4. 13.3 10.8 25.2 - 电容器 活性高 PIN可选择 是的 可调 是的 是的 没有 没有 没有 是的 没有 过错 是的 -40到+85 STQFN-18(1.6 x 3.0 mm) 文件
SLG59H1009V
(SLG59H1009 SLG59H1009VTR)
4.8mm²负载开关,带有引脚可选的v过电压保护,内部NFET SOA保护,以及我DS.当前监视器输出 单一的n沟道 4. 13.1 4.5 22. - 电容器 活性高 PIN可选择 是的 可调 是的 是的 没有 没有 没有 是的 没有 过错 是的 -40到+85 STQFN-18(1.6 x 3.0 mm) 文件
SLG59H1010V.
(SLG59H1010 SLG59H1010VTR)
4.8mm²负载开关,带有引脚可选的v锁定保护,内部NFET SOA保护,我DS.当前监视器输出企业打印机/复印机应用程序雷竞技安卓下载 单一的n沟道 5. 13.3 10.8 25.2 - 电容器 活性高 PIN可选择 是的 可调 是的 是的 没有 没有 没有 是的 没有 过错 是的 -40到+85 STQFN-18(1.6 x 3.0 mm) 文件
SLG59H1012V.
(SLG59H1012,SLG59H1012VTR)
4.8mm²负载开关,带有引脚可选的v过电压保护,内部NFET SOA保护,以及我DS.当前监视器输出 单一的n沟道 6. 13.1 4.5 22. - 电容器 活性高 PIN可选择 是的 可调 是的 是的 没有 没有 没有 是的 没有 过错 是的 -40到+85 STQFN-18(1.6 x 3.0 mm) 文件
SLG59H1013V.
(SLG59H1013 SLG59H1013VTR)
4.8mm²负载开关,带有引脚可选的v锁定保护,内部NFET SOA保护,我DS.当前监视器输出企业打印机/复印机应用程序雷竞技安卓下载 单一的n沟道 3.5. 13.3 10.8 25.2 - 电容器 活性高 PIN可选择 是的 可调 是的 是的 没有 没有 没有 是的 没有 过错 是的 -40 + 125 STQFN-18(1.6 x 3.0 mm) 文件
SLG59H1016V.
(SLG59H1016 SLG59H1016VTR)
4.8mm²负载开关,带有引脚可选的v过电压保护,内部NFET SOA保护,以及我DS.当前监视器输出 单一的n沟道 3.5. 13.1 4.5 22. - 电容器 活性高 PIN可选择 是的 可调 是的 是的 没有 没有 没有 是的 没有 过错 是的 -40 + 125 STQFN-18(1.6 x 3.0 mm) 文件
SLG59H1017V.
(SLG59H1017 SLG59H1017VTR)
4.8mm²负载开关,带有引脚可选的v锁定保护,内部NFET SOA保护,我DS.当前监视器输出企业打印机/复印机应用程序雷竞技安卓下载 单一的n沟道 4. 13.3 10.8 25.2 - 电容器 活性高 PIN可选择 是的 可调 是的 是的 没有 没有 没有 是的 没有 过错 是的 -40到+85 STQFN-18(1.6 x 3.0 mm) 文件
SLG59H1019V
(SLG59H1019,SLG59H1019VTR)
4.8mm²负载开关与vOVLO禁用,内部net SOA保护,和IDS.当前监视器输出 单一的n沟道 5. 13. 4.5 25.2 - 电容器 活性高 没有 是的 可调 是的 是的 没有 没有 没有 是的 没有 过错 是的 -40到+85 STQFN-18(1.6 x 3.0 mm) 文件
SLG59H1020V
(SLG59H1020 SLG59H1020VTR)
4.8 mm²背靠背反向电流阻断负载开关可选引脚V过电压保护,内部NFET SOA保护,以及我DS.当前监视器输出 单一的n沟道反向阻止 3. 50. 4.5 20. - 电容器 活性高 PIN可选择 没有 可调 是的 是的 没有 是的 没有 是的 没有 过错 没有 -40到+85 STQFN-18(1.6 x 3.0 mm) 文件
SLG59H1120V.
(SLG59H1120 SLG59H1120VTR)
4.8mm²负载开关,带有引脚可选的v过电压保护,内部NFET SOA保护,以及我DS.当前监视器输出 单一的n沟道 5. 18. 4.5 13.2 - 电容器 活性高 PIN可选择 是的 可调 是的 是的 没有 没有 没有 是的 没有 过错 是的 -40到+85 STQFN-18(1.6 x 3.0 mm) 文件
SLG59H1126V.
(SLG59H1126,SLG59H1126VTR)
4.8mm²负载开关,带有引脚可选的v过电压保护,内部NFET SOA保护,以及我DS.当前监视器输出 单一的n沟道 6. 18. 4.5 13.2 - 电容器 活性高 PIN可选择 是的 可调 是的 是的 没有 没有 没有 是的 没有 过错 是的 -40到+85 STQFN-18(1.6 x 3.0 mm) 文件
SLG59H1127V.
(SLG59H1127 SLG59H1127VTR)
4.8mm²负载开关,带有引脚可选的v过电压保护,内部NFET SOA保护,电源良好输出 单一的n沟道 4. 15. 4.5 13.2 - 电容器 活性高 PIN可选择 是的 可调 是的 是的 没有 没有 没有 没有 没有 PG、故障 是的 -40到+85 STQFN-18(1.6 x 3.0 mm) 文件
SLG59H1128V
(SLG59H1128,SLG59H1128VTR)
4.8mm²负载开关,带有引脚可选的v过电压保护,内部NFET SOA保护,以及我DS.当前监视器输出 单一的n沟道 5. 13.1 4.5 22. - 电容器 活性高 PIN可选择 是的 可调 是的 是的 没有 没有 没有 是的 没有 过错 是的 -40到+85 STQFN-18(1.6 x 3.0 mm) 文件
SLG59H1302C.
(SLG59H1302,SLG59H1302CTR)
USB C型功率分配器/开关,带有充电泵,LDO和PG信号输出 单输入-双输出反向阻止 输出:6 sys: 6 输出:12 sys: 24 2.7 13. - 没有 out:活跃低系统:活跃高 是的 是的 没有 没有 没有 是的 OUT:没有,SYS:有 没有 没有 没有 OUT:没有SYS: PG 没有 -40到+85 WLCSP-28 (2.98 x 1.69 mm) 文件
SLG59H1313C
(SLG59H1313,SLG59H1313CTR)
2.34 mm²浪涌保护,29V容限net负载开关,内部100V TVS和可调OVP在WLCSP 单一的n沟道 4.5 23. 2.5 20. - 没有 活性低 可调 没有 内部固定 是的 是的 是的 没有 没有 没有 没有 PG. 没有 -40到+85 WLCSP-12(1.3 x 1.8 mm) 文件
SLG59M1440V
(SLG59M1440,SLG59M1440VTR)
1毫米²负载开关充电泵,斜坡控制,输出放电,保护,和4针包 单一的n沟道 1 40. 2.5 5.5 - 电阻器 活性高 没有 没有 没有 没有 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 STDFN-4 (1.0 x 1.0 mm) 文件
SLG59M1442V
(SLG59M1442 SLG59M1442VTR)
1毫米²负载开关充电泵,斜坡控制,保护,和4针包 单一的n沟道 1 40. 2.5 5.5 - 电阻器 活性高 没有 没有 没有 没有 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 -40到+85 STDFN-4 (1.0 x 1.0 mm) 文件
SLG59M1446V.
(SLG59M1446 SLG59M1446VTR)
1.6 mm²双通道负载开关,充电泵,斜坡控制,输出放电,保护 双N频道 1 40. 0.85 V.DD. 2.5 - 5.5 电阻器 活性高 没有 没有 没有 没有 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 STDFN 8(1.0 x 1.6 mm) 文件
SLG59M1448V.
(SLG59M1448,SLG59M1448VTR)
1.6 mm²负载开关,充电泵,斜坡控制,输出放电,和保护 单一的n沟道 2.5 17. 0.9 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 没有 没有 内部固定 是的 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 STDFN-8 (1.0 x 1.6 mm) 文件
SLG59M1456V.
(SLG59M1456 SLG59M1456VTR)
3mm²负载开关,带电荷泵,斜坡控制,输出放电和保护 单一的n沟道 5. 7.8 1.0 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 没有 没有 内部固定 是的 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -20到+70 TDFN-8(1.5 x 2.0 mm) 文件
SLG59M1457V.
(SLG59M1457,SLG59M1457VTR)
3 mm²带有充电泵的负载开关,输出放电,并有保护 单一的n沟道 6. 7.8 0.85 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 没有 没有 内部固定 是的 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 TDFN-8(1.5 x 2.0 mm) 文件
SLG59M1460V
(SLG59M1460 SLG59M1460VTR)
1.6 mm²快速接通和纳米功耗电流负载开关 单一的n沟道 2 30. 0.85 V.DD.- 1.5 v 2.5 - 5.25 没有 活性高 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -20到+70 STDFN-8 (1.0 x 1.6 mm) 文件
SLG59M1466V
(SLG59M1466 SLG59M1466VTR)
1毫米²负载开关与电荷泵,斜坡控制,输出放电,和4针包 单一的n沟道 1 40. 2.5 5.5 - 内部固定 活性高 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -20到+70 STDFN-4 (1.0 x 1.0 mm) 文件
SLG59M1470V
(SLG59M1470 SLG59M1470VTR)
3mm²快开启,纳米功率电流消耗负载开关 单一的n沟道 6. 9.8 0.85 V.DD.- 1.5 v 3.0 - 5.25 没有 活性高 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 TDFN-9 (1.5 x 2.0 mm) 文件
SLG59M1495V
(SLG59M1495,SLG59M1495VTR)
1毫米²负载开关充电泵,斜坡控制,输出放电,保护,和4针包 单一的n沟道 1 80 2.5 5.5 - 电阻器 活性高 没有 没有 没有 没有 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -20到+70 STDFN-4 (1.0 x 1.0 mm) 文件
SLG59M1496V
(SLG59M1496,SLG59M1496VTR)
3mm²负载开关,带电荷泵,斜坡控制,输出放电和保护 单一的n沟道 5.3 7.8 0.85 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 没有 没有 内部固定 是的 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 TDFN-8(1.5 x 2.0 mm) 文件
SLG59M1512V.
(SLG59M1512 SLG59M1512VTR)
1.6mm²,双通道负载开关,带电荷泵,斜坡控制,输出放电和保护 双N频道 1 80 0.85 V.DD. 2.5 - 5.5 电阻器 活性高 没有 没有 没有 没有 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 STDFN 8(1.0 x 1.6 mm) 文件
SLG59M1515V.
(SLG59M1515 SLG59M1515VTR)
1.6 mm²快速开启负载开关,斜坡控制,输出放电 单一的n沟道 2 20. 0.85 V.DD.- 1.5 v 2.5 - 5.5 电容器 活性高 没有 没有 没有 没有 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 STDFN-8 (1.0 x 1.6 mm) 文件
SLG59M1527V.
(SLG59M1527 SLG59M1527VTR)
3平方毫米,双通道负载开关充电泵,斜坡控制,输出放电,和保护 双N频道 4.5 14.5 0.9 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 没有 没有 内部固定 是的 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 STDFN-14(1.0 x 3.0 mm) 文件
SLG59M1545V
(SLG59M1545,SLG59M1545VTR)
1.6mm²负载开关,带电荷泵,斜坡控制和保护 单一的n沟道 2.5 17. 0.85 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 没有 没有 内部固定 是的 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 -20到+70 STDFN-8 (1.0 x 1.6 mm) 文件
SLG59M1551V
(SLG59M1551,SLG59M1551VTR)
1mm²,低压负载开关,带电荷泵,输出放电,保护和4针封装 单一的n沟道 2 15.5 0.85 1.9. - 没有 活性高 没有 没有 没有 没有 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 STDFN-4 (1.0 x 1.0 mm) 文件
SLG59M1556V
(SLG59M1556,SLG59M1556VTR)
1平方毫米,低压负载开关充电泵,保护,和4针包 单一的n沟道 2 15.5 0.85 1.9. - 没有 活性高 没有 没有 没有 没有 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 -40到+85 STDFN-4 (1.0 x 1.0 mm) 文件
SLG59M1557V
(SLG59M1557,SLG59M1557VTR)
1 mm²负载开关,输出放电 单一P沟道 1 28.5 1.5. 5.5 - 内部固定 活性高 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 STDFN-4 (1.0 x 1.0 mm) 文件
SLG59M1558V
(SLG59M1558 SLG59M1558VTR)
1 mm²负载开关,无输出放电 单一P沟道 1 28.5 1.5. 5.5 - 内部固定 活性高 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 -40到+85 STDFN-4 (1.0 x 1.0 mm) 文件
SLG59M1563V
(SLG59M1563 SLG59M1563VTR)
1.6mm²负载开关,具有反向电流阻塞,电荷泵和PG信号输出 单一的n沟道反向阻止 2.5 22.5 1.0 V.DD. 1.5 - 5.5 内部固定 活性高 没有 没有 没有 没有 是的 没有 是的 没有 没有 没有 PG. 没有 -40到+85 STDFN-8 (1.0 x 1.6 mm) 文件
SLG59M1568V
(SLG59M1568 SLG59M1568VTR)
3mm²负载开关,带电荷泵,斜坡控制,输出放电和保护 单一的n沟道 9. 7.3 1.0 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 没有 没有 内部固定 是的 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 STDFN-14(1.0 x 3.0 mm) 文件
SLG59M1571V.
(SLG59M1571 SLG59M1571VTR)
1mm²,低压负载开关,具有反向电流阻塞,电荷泵,输出放电,保护和4针封装 单一的n沟道反向阻止 1 14.6 0.85 1.9. - 没有 活性高 没有 没有 没有 没有 是的 没有 是的 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 STDFN-4 (1.0 x 1.0 mm) 文件
SLG59M1598V
(SLG59M1598,SLG59M1598VTR)
1.6 mm²负载开关,充电泵,斜坡控制,输出放电,和保护 单一的n沟道 2.5 17. 0.85 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 没有 没有 内部固定 是的 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 STDFN-8 (1.0 x 1.6 mm) 文件
SLG59M1599V
(SLG59M1599,SLG59M1599VTR)
1.6mm²,双通道负载开关,带电荷泵,斜坡控制和保护 双N频道 1 40. 0.85 V.DD. 2.5 - 5.5 电阻器 活性高 没有 没有 没有 没有 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 -40到+85 STDFN 8(1.0 x 1.6 mm) 文件
SLG59M1600V.
(SLG59M1600 SLG59M1600VTR)
3mm²负载开关,具有反向电流阻塞,电荷泵,斜坡控制,输出放电和保护 单一的n沟道反向阻止 9. 7.8 0.85 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 没有 没有 没有 没有 是的 没有 是的 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 STDFN-14(1.0 x 3.0 mm) 文件
SLG59M1603V
(SLG59M1603 SLG59M1603VTR)
3毫米²,双通道负载开关与反向电流阻塞,电荷泵,斜坡控制,输出放电,和保护 双N频道反向阻止 4.5 16. 0.85 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 没有 没有 没有 没有 是的 没有 是的 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 STDFN-14(1.0 x 3.0 mm) 文件
SLG59M1606V
(SLG59M1606 SLG59M1606VTR)
3毫米²,双通道负载开关与反向电流阻塞,电荷泵,斜坡控制,和保护 双N频道反向阻止 4.5 16. 0.85 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 没有 没有 没有 没有 是的 没有 是的 没有 没有 没有 没有 没有 -40到+85 STDFN-14(1.0 x 3.0 mm) 文件
SLG59M1612V.
(SLG59M1612 SLG59M1612VTR)
3 mm²,双通道负载开关,反向电流阻塞,电荷泵,斜坡控制,保护,和单通道输出放电 双N频道反向阻止 4.5 16. 1.0 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 没有 没有 没有 没有 是的 没有 是的 没有 没有 没有 没有 CH1:是的;CH2:不 -40到+85 STDFN-14(1.0 x 3.0 mm) 文件
SLG59M1614V.
(SLG59M1614 SLG59M1614VTR)
3毫米²负载开关充电泵,斜坡控制,输出放电 单一的n沟道 4. 8.5 0.85 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 没有 没有 内部固定 是的 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 TDFN-8(1.5 x 2.0 mm) 文件
SLG59M1638V.
(SLG59M1638 SLG59M1638VTR)
1.6mm²,双通道负载开关,具有反向电流阻塞,反向电压检测,输出放电和有效高开关控制 双p沟道反向阻止 2 45. 1.5. 5.5 - 没有 活性高 没有 是的 没有 没有 没有 没有 是的 是的 没有 没有 没有 是的 -40到+85 STDFN 8(1.0 x 1.6 mm) 文件
SLG59M1639V
(SLG59M1639,SLG59M1639VTR)
1.6mm²,双通道负载开关,具有反向电流阻塞,反向电压检测和主动高开关控制 双p沟道反向阻止 2 45. 1.5. 5.5 - 没有 活性高 没有 是的 没有 没有 没有 没有 是的 是的 没有 没有 没有 没有 -40到+85 STDFN 8(1.0 x 1.6 mm) 文件
SLG59M1640V
(SLG59M1640 SLG59M1640VTR)
1.6mm²,双通道负载开关,具有反向电流阻塞,反向电压检测,输出放电和有效低开关控制 双p沟道反向阻止 2 45. 1.5. 5.5 - 没有 活性低 没有 是的 没有 没有 没有 没有 是的 是的 没有 没有 没有 是的 -40到+85 STDFN 8(1.0 x 1.6 mm) 文件
SLG59M1641V
(SLG59M1641 SLG59M1641VTR)
1.6 mm²,双通道负载开关,反向电流阻断,反向电压检测,有源低ON-OFF控制 双p沟道反向阻止 2 45. 1.5. 5.5 - 没有 活性低 没有 是的 没有 没有 没有 没有 是的 是的 没有 没有 没有 没有 -40到+85 STDFN 8(1.0 x 1.6 mm) 文件
SLG59M1649V.
(SLG59M1649,SLG59M1649VTR)
1.6mm²,负载开关,具有反向电流阻塞,反向电压检测和输出放电 单一P沟道反向阻止 4. 23. 1.5. 5.5 - 没有 活性高 没有 是的 没有 没有 没有 没有 是的 是的 没有 没有 过错 是的 -40到+85 STDFN 8(1.0 x 1.6 mm) 文件
SLG59M1655V.
(SLG59M1655 SLG59M1655VTR)
3毫米²,负载开关与反向电流阻断,电荷泵,斜坡控制和保护 单一的n沟道反向阻止 9. 7.8 0.85 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 没有 没有 没有 没有 是的 没有 是的 没有 没有 没有 没有 没有 -40到+85 STDFN-14(1.0 x 3.0 mm) 文件
SLG59M1657V.
(SLG59M1657 SLG59M1657VTR)
3毫米²,负载开关充电泵,斜坡控制,和保护 单一的n沟道 4. 8.4 0.9 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 没有 没有 内部固定 是的 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 -40 + 125 TDFN-8(1.5 x 2.0 mm) 文件
SLG59M1658V.
(SLG59M1658,SLG59M1658VTR)
1.6 mm²,负载开关充电泵,斜坡控制,输出放电,和保护 单一的n沟道 2.5 17. 0.9 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 没有 是的 内部固定 是的 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -40 + 125 STDFN-8 (1.0 x 1.6 mm) 文件
SLG59M1685C
(SLG59M1685 SLG59M1685CTR)
0.82 mm²负载开关,充电泵,斜坡控制,输出放电,和保护 单一的n沟道 2 10. 1.3. 3.6. - 内部固定 活性高 没有 是的 内部固定 是的 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 WLCSP-6L(0.71 x 1.16 mm) 文件
SLG59M1693C.
(SLG59M1693 SLG59M1693CTR)
0.56 mm²超低功率负载开关,带充电泵,输出放电 单一P沟道 1 17.4 0.8 2.0 - 没有 活性高 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 WLCSP-4 (0.75 x 0.75 mm) 文件
SLG59M1707V
(SLG59M1707 SLG59M1707VTR)
4 mm²,负载开关带电荷泵,IDS.电流监视器输出,输出放电和保护 单一的n沟道 3.5. 13. 0.8 V.DD. 2.5 - 5.5 内部固定 活性高 没有 是的 可调 是的 是的 没有 没有 没有 是的 没有 过错 是的 -40 + 125 STQFN-16(1.6 x 2.5 mm) 文件
SLG59M1709V.
(SLG59M1709 SLG59M1709VTR)
4mm²,带电荷泵,斜坡控制和保护的负载开关 单一的n沟道 4. 4. 0.8 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 没有 是的 内部固定 是的 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 -40到+85 STQFN-16(1.6 x 2.5 mm) 文件
SLG59M1710V.
(SLG59M1710,SLG59M1710VTR)
4mm²,带电荷泵,斜坡控制和保护的负载开关 单一的n沟道 2 4. 0.8 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 没有 是的 内部固定 是的 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 -40到+85 STQFN-16(1.6 x 2.5 mm) 文件
SLG59M1713V
(SLG59M1713 SLG59M1713VTR)
4毫米²,负载开关充电泵,斜坡控制,输出放电,和保护 单一的n沟道 2 4. 0.8 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 没有 是的 内部固定 是的 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 STQFN-16(1.6 x 2.5 mm) 文件
SLG59M1714V
(SLG59M1714 SLG59M1714VTR)
4 mm²,负载开关带逆电流阻断,电荷泵,IDS.电流监视器输出,输出放电和保护 单一的n沟道反向阻止 4. 15. 0.8 V.DD. 2.5 - 5.5 内部固定 活性高 没有 是的 可调 是的 是的 没有 是的 没有 是的 没有 过错 是的 -40到+85 STQFN-16(1.6 x 2.5 mm) 文件
SLG59M1717V
(SLG59M1717 SLG59M1717VTR)
4毫米²,负载开关充电泵,斜坡控制,输出放电,保护,PG信号输出 单一的n沟道 5. 4. 0.8 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 没有 是的 可调 是的 是的 没有 没有 没有 没有 没有 PG. 是的 -40到+85 STQFN-16(1.6 x 2.5 mm) 文件
SLG59M1720V.
(SLG59M1720,SLG59M1720VTR)
1.4mm²,带电荷泵的负载开关,斜坡控制,输出放电和保护 单一的n沟道 2 18. 0.85 V.DD. 2.5 - 3.6 电容器 活性高 没有 没有 内部固定 是的 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 STDFN-6 (1.0 x 1.4 mm) 文件
SLG59M1721V.
(SLG59M1721 SLG59M1721VTR)
1.4 mm²,负载开关充电泵,斜坡控制,和保护 单一的n沟道 2 18. 0.85 V.DD. 2.5 - 3.6 电容器 活性高 没有 没有 内部固定 是的 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 -40到+85 STDFN-6 (1.0 x 1.4 mm) 文件
SLG59M1730C
(SLG59M1730,SLG59M1730CTR)
0.64mm²负载开关,具有受控浪涌电流,输出放电 单一P沟道 1 33. 2.5 5.5 - 没有 活性高 没有 没有 固定浪涌电流限制 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 WLCSP-4 (0.8 x 0.8 mm) 文件
SLG59M1735C.
(SLG59M1735,SLG59M1735CTR)
1.5mm²负载泵,坡道控制和保护 单一的n沟道 4. 10.5 0.9 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 没有 没有 内部固定 是的 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 -40到+85 WLCSP-8(0.96 x 1.56 mm) 文件
SLG59M1736C.
(SLG59M1736 SLG59M1736CTR)
0.64mm²负载开关,具有受控浪涌电流,输出放电 单一P沟道 2.2 33. 2.5 5.5 - 没有 活性高 没有 没有 固定浪涌电流限制 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 WLCSP-4 (0.8 x 0.8 mm) 文件
SLG59M1742C.
(SLG59M1742,SLG59M1742CTR)
0.82mm²负载开关,总时间550 us,输出放电 单一的n沟道 1 18. 0.25 1.5. 2.7 - 3.6 内部固定 活性高 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 WLCSP-6L(0.71 x 1.16 mm) 文件
SLG59M1746C.
(SLG59M1746 SLG59M1746CTR)
0.82mm²负载开关,输出放电 单一的n沟道 1 17.6 0.25 1.5. 2.7 - 3.6 内部固定 活性高 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 WLCSP-6L(0.71 x 1.16 mm) 文件
SLG59M1748C
(SLG59M1748 SLG59M1748CTR)
0.64mm²负载开关,反向电流阻断,反向电压检测,斜坡控制 单一P沟道反向阻止 2.2 36. 1.6. 5.0 - 内部固定 活性高 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 是的 没有 没有 没有 没有 -40到+85 WLCSP-4 (0.8 x 0.8 mm) 文件
SLG59M1804V
(SLG59M1804 SLG59M1804VTR)
3 mm²,ul2367认证,双通道负载开关充电泵,斜坡控制,输出放电,和保护 双N频道 4.5 14.5 0.9 V.DD. 2.5 - 5.0 电容器 活性高 没有 没有 内部固定 是的 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 STDFN-14(1.0 x 3.0 mm) 文件
SLG59M301V
(SLG59M301,SLG59M301VTR)
3mm²负载开关,带电荷泵,斜坡控制,输出放电和保护 单一的n沟道 4. 8.5 0.85 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 没有 没有 内部固定 是的 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 TDFN-8(1.5 x 2.0 mm) 文件
SLG59M307V.
(SLG59M307 SLG59M307VTR)
3毫米²负载开关充电泵,斜坡控制,输出放电 单一的n沟道 4. 7.8 0.85 V.DD. 1.5 - 5.5 电容器 活性高 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -20到+70 TDFN-8(1.5 x 2.0 mm) 文件
SLG59M308V
(SLG59M308 SLG59M308VTR)
3mm²负载开关,带电荷泵,斜坡控制,输出放电和保护 单一的n沟道 3. 7.8 1.0 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 没有 没有 内部固定 是的 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 TDFN-8(1.5 x 2.0 mm) 文件
SLG59M309V
(SLG59M309,SLG59M309VTR)
3平方毫米的负载开关充电泵,斜坡控制,和保护 单一的n沟道 4. 7.8 1.0 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 没有 没有 内部固定 是的 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 -40到+85 TDFN-8(1.5 x 2.0 mm) 文件
SLG59M610V.
(SLG59M610 SLG59M610VTR)
3mm²负载开关,具有反向电流阻塞,电荷泵,斜坡控制,输出放电和保护 单一的n沟道反向阻止 4. 22. 1.0 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 没有 没有 内部固定 是的 是的 没有 是的 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 TDFN-8(1.5 x 2.0 mm) 文件
SLG59M611V
(SLG59M611 SLG59M611VTR)
3毫米²负载开关与反向电流阻断,电荷泵,斜坡控制,和保护 单一的n沟道反向阻止 4. 22. 1.0 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 没有 没有 内部固定 是的 是的 没有 是的 没有 没有 没有 没有 没有 -40到+85 TDFN-8(1.5 x 2.0 mm) 文件
SLG5NT1477V
(SLG5NT1477,SLG5NT1477VTR)
3mm²快速开启,纳米电流消耗负载开关为1 V处理器电源控制 单一的n沟道 6. 9.8 0.85 V.DD.- 1.5 v 3.0 - 5.25 没有 活性高 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 TDFN-9 (1.5 x 2.0 mm) 文件
SLG5nt1533v.
(SLG5NT1533,SLG5NT1533VTR)
1.6 mm²快速打开负载开关斜坡控制,输出放电为1v处理器电源控制 单一的n沟道 2.5 20. 0.85 V.DD.- 1.5 v 2.5 - 5.5 电容器 活性高 没有 没有 没有 没有 是的 没有 没有 没有 没有 没有 没有 是的 -40到+85 STDFN-8 (1.0 x 1.6 mm) 文件

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姓名 日期 版本
AN-1002反向电流与Greenfet Load开关阻塞(450.08 KB)
一个- 1007 Demoboard(中国)(676 KB)
一个- 1008 Demoboard(585.65 KB)
AN-1068绿场效应晶体管和高电压绿场效应晶体管负载开关基础知识(1.28 MB)
AN-1069 12v 5v电源Mux(1.25 MB)
AN-1081 GreenFet负载开关基础(日语)(1.74 MB)
AN-1096使用PFET装载开关复用两个电源轨(749.42 KB)
AN-1112提高高压Greenfet的VIN瞬态保护(375.58 KB)
AN-1149辅助智能手机电池电源管理电路(3.83 MB)
AN-1160电源开关用于浪涌和噪声敏感的电感负载雷竞技安卓下载(4.93 MB)
AN-1202一种用于能量收集的升压变换器设计(上)雷竞技安卓下载(583.87 KB)
AN-1207电感负载电源开关注意事项(665.43 KB)
AN-CM-226使用对话框负载开关控制具有转换速率控制的浪涌电流(292.99 KB)
AN-CM-240扩展SLG59M1693C的最大工作电流范围(320.36 kB)
AN-CM-246在超级电容器应用中使用对话框的GreenFET负载开关雷竞技安卓下载(430.1 KB)
AN-CM-251选择输入和输出电容,具有对话框Greenfet负载开关(631.8 KB)
AN-CM-260应用对话框Greenfet负载开关在功率分配应用中雷竞技安卓下载(1.1 MB)
AN-CM-268:双向应用对话GreenFET负载开关雷竞技安卓下载(389.54 KB)
AN-CM-272扩展对话框的负载开关最大工作电流(943.55 kB) 22/02/2019 1.0
AN-CM-289 GreenFET负载开关PCB布局的热考虑(1.36 MB)
PCB库
姓名 日期 版本
Greenfet Altium图书馆(65.63 KB)
Greenfet Eagle图书馆(9.6 KB)
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高压Greenfet Eagle库(2.14 KB)
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视频
姓名 日期 版本
Greenfet培训视频(中文)(46.22 MB)
格林菲特培训短片(英文)(50.43 MB)
GreenFET培训短片(日文)(27.86 MB)
GreenFET培训视频(韩语)(11.2 MB)
高电压绿场效应晶体管培训视频(中文)(51.16 MB)
高电压绿场效应晶体管培训视频(英文)(63.92 MB)
高电压绿场效应晶体管训练视频(日文)(26.39 MB)
高压Greenfet培训视频(韩语)(12.44 MB)

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Greenfet Load开关简介

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高电压绿场效应晶体管负载开关简介

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加载开关网络研讨会第1部分

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装载开关网络研讨会第2部分

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常见问题解答

GreenFET负载开关的应用是什么?

GreenFET高性能负载开关可用于任何需要在0.25 V到25.2 V之间切换电源轨的地方。他们有一个非常小的物理尺寸,非常低的待机电流,和控制的电压斜坡率。


如何控制GreenFET负载开关的电压斜坡速率?

大多数绿色料装载开关具有可调节的电压坡度速率。在某些设备中,在其他设备中使用外部电容设置,在其他设备中使用串联的电阻设置为ON引脚。有一些具有固定电压坡度速率的家庭成员。


对话框为Greenfet提供演示套件和评估套件吗?

对话框提供了演示板进行评估。请联系您当地的销售代表或发送在线咨询以获得演示板。请指定您计划测试的Greenfet Load开关部件号。


GreenFET的MSL水平和RoHS状态是什么?

整个GreenFET系列产品符合MSL 1级和6/6 RoHS要求。

回到结果

GreenPAK和GreenFET

3个月前

GFET作为替代品

发布的VolodymyrMelnykM40分 6回复
0的问题

嗨,伙计们!
在我们的原始设计中,我们正在使用RT9742SNGV在3V3(0.5A)网上,但不幸的是,Richtek有短缺问题。
gft有其他选择吗?小封装,低引脚数,反向电压检测是关键。

3个月前

佩特罗 15分

嗨之上。谢谢你的请求。我有几个问题要问你:

1.你是否需要内部的有源电流限制保护作为你的电流部分?

2.您是否需要内部放电作为您当前的部分?

3.最好的RDS(ON)是什么?

4.你现在需要UVLO吗?

5.你是否需要反向电压检测以及电流部分,或者只是在芯片关闭时反向阻塞就足够了?

一般来说,我们可以建议几个零件号码,可能对你工作。

1.https://www.dialog-seminile.com/produ雷电竞官网登录cts/load-switches/slg59m1748c.这部分没有内部ACL,UVLO,放电,热保护,但它具有低RDS(开启)和反向电压检测和反向电流阻塞。

2。https://www.dialog-seminile.com/produ雷电竞官网登录cts/load-switches/slg59m610v.该部件具有内部ACL,短路保护,放电,热保护,可调节转换速率,低RDS(开),但仅当芯片关闭时才能反向电流阻塞。此部分也没有UVLO。

3.https://www.dialog-seminile.com/produ雷电竞官网登录cts/load-switches/slg59m1714v.该部分具有可调的内部ACL,短路保护,UVLO,放电,热保护,固定的转换速率,低RDS(ON),但只有反向电流阻断芯片是OFF。此外,这部分有模拟输出电流监视器和故障信号。

如果您有任何疑问,请告诉我,或者如何帮助您进一步帮助您。

3个月前

VolodymyrMelnykM 40分

好,关于问题:
1.不是真正的
没有它就更好了
3.任何耗散小于典型肖特基二极管的器件都适合。
4.没有必要
5.电源网有备用电源,所以反向电压检测是必须的。

SLG59M1748是我正在寻找的,但无法找到它。
供应商是否可以用少量购买(100-200)进行原型?
这个零件的交货时间是多少?

3个月前

佩特罗 15分

嗨之上。

谢谢你的回答,很高兴听到1748将为你工作。使用此链接,您可以订购至少200件进行评估。

SLG59M1748C |对话框(Dialogiondiondumidders.com)

关于交货期,你是指小批量还是多订购?

3个月前

VolodymyrMelnykM 40分

Petro,

是的,那个是一个很好的部分。
谢谢你的友好的链接。
更大的数量需要提前交货时间。

接受答案!

3个月前

佩特罗 15分

嗨之上,

请告知您想要多少,所以我可以建议送达时间?如果我们没有足够的样品,所以典型的换行时间最长为8周,但如果我们拥有它,那将会更快。

3个月前

VolodymyrMelnykM 40分

Petro,

谢谢你,现在我有了所有必要的信息。
有了更多细节,我会联系你的。