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电涌保护,23 mΩ/ 4.5集成与可调电源开关过电压保护装置和内部100 v 12 b WLCSP瞬态电压抑制器

SLG59H1313C特性低23 mΩR_DSON内部nFET和保护低压2.5 Vdc到5.5 Vdc操作系统防止电压故障高达29 Vdc。内部钳位电路保护下游组件免受高达100v的浪涌电压。SLG59H1313C具有快速的50 ns (typ)过电压响应时间，如果输入电压超过OVP阈值，它会关闭内部nFET。OVP阈值可通过可选的外部电阻调节到4v和20v之间的任何电压。超温保护装置在145℃(typ)关闭电源。SLG59H1313C还具有过流保护功能，如果电流超过7a (typ)就会关闭开关，这为防止设备过热提供了额外的保护。SLG59H1313C包含一个开漏输出PG引脚。当V_{IN_min}< V_在< V_OVLO如果开关是开的，PG将被低驱动，显示一个好的功率输入，否则它是高阻抗。

特性

改进针对针到FPF2280/MAX14699
> 100 v宽容的电视(IEC61000-4-5)
最大V_在v直流评级:29
Hi-performance场效应电晶体:23 mΩ/ 4.5
固定V_在欠压锁定
Resistor-adjustable V_在过压锁定[或固定6.5V默认(OVLO = GND)]

特性

OVP响应时间快:50纳秒
过流保护:7一个
热停堆保护
开关控制:低电平有效
12球3x4 WLCSP, 1.3 x 1.8 x 0.5mm,0.4mm间距

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可穿戴设备
平板电脑和智能手机

包

WLCSP-12 (1.3 x1.8毫米)

资源

数据表

SLG59H1313C数据表(1.16 MB)

应用笔记

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