SLG59H1017V

SLG59H1017V

HFET1™高压集成电源控制开关

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13.3Ω、4、10 W SOA IPS 12 V / 24 V输入锁定选择和我DS.当前监视器输出

SLG59H1017V是一种高性能13.3MΩNMOS电源开关,旨在控制12 V或24 V电源轨,最高可达4 A.使用专有MOSFET设计,SLG59H1017V实现稳定的13.3MΩRDSON跨越宽输入电压范围。在结合新型FET设计和铜柱互连时,SLG59H1017V封装也表现出用于高电流操作的低热阻。设计用于在-40°C至85°C范围内操作,SLG59H1017V具有低热电阻,符合RoHS兼容,1.6 x 3.0 mm STQFN封装。

特性

  • 低R.DSON: 13.3Ω
  • 最大连续开关电流:4 a;
  • 宽操作电源电压:12 V或24 V;
  • 自动10 W NFET SOA保护;
  • 电容可调励磁涌流控制;

特性

  • 两级电流限制保护:
    • 电阻可调的有效电流限制;
    • 固定0.5A短路电流限制;
  • 快速输出电压放电;
  • 开关控制:高有源;
  • PB-Free / RoHS标准包装:
    • 1.6 x 3.0 x 0.55 mm,STQFN-18。

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STQFN-18(1.6 x 3.0 mm)

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