SLG59H1019V

SLG59H1019V

HFET1™高压集成功率控制开关

一组工程师已经准备好回答你的问题

自供电的,24 V, 13 mΩHFET1集成电源开关与V / 5在(ovlo)禁用

SLG59H1019V高性能13 mΩNMOS电源开关用来控制rails 4.5 V至25.2 V电源5。使用专有的MOSFET设计,SLG59H1019V达到一个稳定的13 mΩR达森跨越宽输入电压范围。在结合新型FET设计和铜柱互连时,SLG59H1019V封装也表现出用于高电流操作的低热阻。设计用于在-40°C至85°C范围内操作,SLG59H1019V可提供低热电阻,符合RoHS兼容,1.6 x 3.0 mm STQFN封装。

特征

  • 高性能n沟道MOSFET
    • 低的R达森: 13 mΩ
    • 连续I.DS评分:5 a
  • 工作电压范围:4.5 V≤V≤25.2V
  • V在(ovlo):残疾人士
  • V(UVLO): 3.1 v,固定的
  • 电容可调启动和急流电流控制

特征

  • 两级过电流保护:
    • 电阻可调节的有源电流限制为5A
    • 固定0.5短路电流限制
  • 快0.75 kΩV卸货
  • 热停堆保护
  • 开关控制:高电平有效
  • 工作温度范围:-40C至85C
  • 包1.6 x 3.0 x 0.55 mm stqfn-18

雷竞技安卓下载

  • 电信设备
  • 高性能计算
    • 负载点配电
  • 电机驱动器
STQFN-18 (1.6 x3.0 mm)

有关如何购买的技术支持或信息,请直接与我们联系。

联系我们注册通讯

需要技术帮助吗?

访问我们的支持网站:

  • 在线获取对话专家的帮助。
  • 搜索论坛。
  • 访问软件,驱动程序,工具和工具。