SLG59H1020V型

SLG59H1020V型

HFET1型™ 50MΩNMOS电源开关

一组工程师准备回答你的问题

一个20V,50MΩ,3A,反向闭锁集成电源开关,带VIN锁定选择和MOSFET电流监视器输出

SLG59H1020V是一款高性能、自供电50 mΩNMOS电源开关,具有背对背反向电流阻断功能,专为所有4.5 V至20 V电源轨设计,最大电流可达3 a。采用专有MOSFET设计,SLG59H1020V在宽输入电压范围内实现稳定的50 mΩRDSON。在结合新颖的场效应管设计和铜柱互连,SLG59H1020V封装还表现出高电流运行的低热阻。

SLG59H1020V的设计工作温度范围为-40ºC至85ºC,采用低热阻、符合RoHS标准、1.6 x 3.0 mm STQFN封装。

特征

  • 针对电信设备、高性能企业计算、电机驱动进行了优化
  • 50兆欧RDSON公司
  • 最大连续开关电流:3 A
  • 宽工作电源电压:4.5 V至20 V
  • 背对背场效应管反向电流阻断,关闭时
  • 自动nFET SOA保护
  • 4电平,引脚可选VIN过压锁定
  • 电容可调励磁涌流控制

特征

  • 两级限流保护:
    • 电阻可调有功限流
    • 固定0.5 A短路电流限制
  • 开关控制:高电平有效
  • 包装1.6 x 3.0 x 0.55 mm STQFN-18
  • 电源轨切换
  • 多功能打印机
  • 大幅面复印机
  • 电信设备
  • 高性能计算
    • 4.5V和20V负荷配电点
  • 电机驱动器

资源

数据表

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