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SLG59H1005V.
SLG59H1005V.
HFET1™高压集成功率控制开关
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22 V，50mΩ，反向阻塞3带V的集成电源开关在锁定选择和iDS.当前监视器输出
SLG59H1005V是一种高性能，自动为50MΩNMOS电源开关，带背对背反向电流阻塞，设计为所有4.5到22 V电源轨，最多可为3 A.使用专有MOSFET设计，SLG59H1005V实现A.稳定50mΩr达森跨越输入/电源电压范围。在结合新型FET设计和铜柱互连时，SLG59H1005V封装也表现出用于高电流操作的低热阻。设计用于在-40°C至85°C范围内，SLG59H1005V可提供低热电阻，符合RoHS兼容，1.6 x 3.0 mm STQFN封装。
特征
- 优化为电信设备，高性能企业计算，电机驱动器
- 50mΩr.达森
- 最大连续开关电流：3 a
- 宽操作电源电压：4.5 V至22 V
- 背靠背FET反向电流阻塞，关闭时
- 自动NFET SOA保护
- 4级，引脚可选的VIN过压锁定
- 电容器可调浪涌电流控制
特征
- 两级电流限制保护：
- 电阻可调的主动电流限制
- 固定0.5A短路电流限制
- 开关控制：活跃高
- 包1.6 x 3.0 x 0.55 mm stqfn-18
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- 电源轨开关
- 多功能打印机
- 大型复印机
- 电信设备
- 高性能计算4.5 V和22 V负载点配电
- 电机驱动器
包
STQFN-18（1.6 x 3.0 mm）
资源
数据表
- SLG59H1005V数据表（1.2 MB）
申请笔记
- AN-1112改善HFET1的VIN瞬态保护（375.58 KB）
- AN-CM-269太阳能跟踪器（1.43 MB）
- AN-CM-272扩展对话框的IPS最大工作电流（1.19 MB）
模拟宏观典
- SLG59H1005V LTSPICE模型（9.93 kB）
- SLG59H1005V PSPICE模型（4.02 KB）
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